CONDUCTIVITE A L'EQUILIBRE ET PHOTOCONDUCTIVITE DE INAS FORTEMENT COMPENSEBALAGUROV LA; OMEL'YANOVSKIJ EH M.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 10; PP. 1947-1951; BIBL. 7 REF.Article

ABSORPTION OPTIQUE DUE AUX TRANSITIONS INTERNES AUX CENTRES DE L'ION FE²⁺ DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMIPPOLITOVA FK; OMEL'YANOVSKIJ EH M.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 2; PP. 236-241; BIBL. 8 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE NEGATIVE ET PHOTOMEMOIRE CAUSEES PAR LA BARRIERE DE POTENTIEL A LA SURFACE DE INASBALAGUROV LA; OMEL'YANOVSKIJ EH M; FISTUL VI et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 5; PP. 944-947; BIBL. 18 REF.Article

INFLUENCE DES PROCESSUS DE CAPTURE SUR LE COMPORTEMENT DE LA PHOTOCAPACITE DANS LES CRISTAUX DE GAAS (CRGLORIOZOVA RI; KOLESNIK LI; OMEL'YANOVSKIJ EH M et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 1; PP. 124-127; BIBL. 6 REF.Article

INFLUENCE DE LA PRESSION SUR L'EFFET HALL DANS INAS(CR)PLITNIKAS A; KROTKUS A; BALAGUROV LA et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 11; PP. 2123-2127; BIBL. 10 REF.Article

RECOMBINAISON DES PORTEURS DANS INSB N TRES RESISTANT A 77 KSEDRAKIN RG; DARGIS A YU; ASHMONTAS SP et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 11; PP. 2094-2096; BIBL. 14 REF.Article

CROISSANCE A PARTIR DE LA PHASE FONDUE DE MONOCRISTAUX D'ARSENIURE D'INDIUM TRES RESISTANTBALAGUROV LA; GIMEL'FARB FA; KARATAEV VV et al.1976; KRISTALLOGRAFIJA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 6; PP. 1242-1244; BIBL. 4 REF.Article

INFLUENCE DE LA CONDUCTIVITE SUPERFICIELLE SUR LES PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES DE INSB N COMPENSEPETROVSKIJ VI; SOLOV'EV NN; OMEL'YANOVSKIJ EH M et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 10; PP. 1904-1908; BIBL. 8 REF.Article

INFLUENCE DE L'OXYGENE SUR LES PROPRIETES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM DOPE PAR DES METAUX DE TRANSITIONANDRIANOV DG; OMEL'YANOVSKIJ EH M; RASHEVSKAYA EP et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 6; PP. 1071-1075; BIBL. 16 REF.Article

TRANSITIONS OPTIQUES ELECTRONIQUES A L'INTERIEUR D'UN CENTRE DANS GAAS: CR, EN PRESENCE D'UNE RESONANCE AVEC LE CONTINUUMIPPOLITOVA GK; OMEL'YANOVSKIJ EH M; PERVOVA L YA et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 7; PP. 1308-1313; BIBL. 16 REF.Article

ETUDE DES ETATS D'IMPURETE PROFONDS DE FE DANS LE PHOSPHURE DE GALLIUMANDRIANOV DG; GRINSHTEJN PM; IPPOLITOVA GK et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 6; PP. 1173-1176; BIBL. 11 REF.Article

GAAS RESISTANCE THERMOMETERS BETWEEN 0 AND 200^OCZARUBIN LI; MOROTSKIJ VA; NEMISH I YU et al.1977; POLUPROVODN. TECH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 26; PP. 39-42; BIBL. 4 REF.Article

COMPORTEMENT DE L'IMPURETE NICKEL DANS L'ETAT 3D⁸ DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMSUCHKOVA NI; ANDRIANOV DG; OMEL'YANOVSKIJ EH M et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 9; PP. 1742-1746; BIBL. 15 REF.Article

COMPORTEMENT DE L'IMPURETE FE DANS INP ET INFLUENCE DE LA COVALENCE SUR LE SPECTRE DE RPE DE L'ION FE³⁺ DANS LES COMPOSES DE SYMETRIE T_DIPPOLITOVA GK; OMEL'YANOVSKIJ EH M; PAVLOV NM et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 7; PP. 1315-1320; BIBL. 27 REF.Article

POTENTIEL DE SURFACE ET ETATS DE SURFACE DANS LES MONOCRISTAUX DE INASBALAGUROV LA; BORKOVSKAYA O YU; DMITRUK NL et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 6; PP. 1108-1114; BIBL. 22 REF.Article

PROPRIETES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM DOPE PAR LE NICKELSUCHKOVA NI; ANDRIANOV DG; OMEL'YANOVSKIJ EH M et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 4; PP. 718-721; BIBL. 11 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE DE GAAS MONOCRISTALLIN A FLUCTUATIONS IMPORTANTES DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE DES IMPURETESMESSERER MA; OMEL'YANOVSKIJ EH M; PERVOVA L YA et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 5; PP. 851-858; BIBL. 8 REF.Article

INFLUENCE DU DEGRE DE COMPENSATION SUR LA PHOTOCONDUCTIVITE ET L'EFFET PHOTO-HALL DANS LES MONOCRISTAUX DE GAAS:CR SEMI-ISOLANTOMEL'YANOVSKIJ EH M; PANTYUKHOV AN; PERVOVA L YA et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 10; PP. 1930-1933; BIBL. 14 REF.Article

Nature de la bande de photoluminescence d'énergie 1,14 eV dans les cristaux de InPLOSHINSKIJ, A. M; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 11, pp 1986-1990, issn 0015-3222Article

Influence de l'hydrogène atomique sur les propriétés de l'arséniure de galliumOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 5, pp 842-847, issn 0015-3222Article

Passivation de donneurs à niveaux peu profonds dans le phosphure d'indium par l'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 10, pp 1892-1894, issn 0015-3222Article

Conditions fondamentales du développement et facteurs d'efficacité de la technologie des cellules solaires à base de silicium amorpheIOFFE, A. A; MARTYNOVA, V. G; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Geliotehnika (Taškent). 1987, Num 2, pp 11-15, issn 0130-0997Article

Conductivité par sauts entre états d'impuretés profonds dans InP<Mn>KUZNETSOV, V. P; MESSERER, M. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 3, pp 446-450, issn 0015-3222Article

Comparaison des paramètres des centres profonds dans les semiconducteurs de grande résistance par spectrométrie photoélectrique de relaxation avec balayage thermique ou de fréquenceOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA; TISHKIN, M. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 725-727, issn 0015-3222Article

Etude des spectres d'absorption par impureté de Si1-xCx--a:H par la méthode de spectrométrie optoacoustiqueBALAGUROV, L. A; KARPOVA, N. YU; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 673-676, issn 0015-3222Article